IXGM30N60
LittelfuseDescrição: | Trans IGBT Chip N-CH 600V 50A 200W |
Data de introdução: | Mar 1, 1996 |
Atualizado:+90 dias | |
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Versão online:https://www.datasheets.com/pt/part-details/ixgm30n60-littelfuse-62769221
Visão geral
Familiarize-se com as informações gerais, propriedades e características fundamentais do componente, juntamente com sua conformidade com as normas e regulamentos da indústria.
Ciclo de VidaPremium
EU RoHS Yes
Versão RoHS2011/65/EU, 2015/863
Caminho da Categoria
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > IGBT Transistors > IGBT Chip
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > IGBT Transistors > IGBT Chip
Paramétrico
As informações paramétricas exibem características vitais e métricas de desempenho do componente, o que ajuda os engenheiros e gerentes da cadeia de suprimentos a comparar e escolher o componente eletrônico mais adequado para suas aplicações e necessidades.
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linha de produto
Maximum Transition Frequency
Number of Elements per Chip
Maximum Junction Temperature
Minimum Storage Temperature
Supplier Temperature Grade
Maximum Storage Temperature
Maximum Gate Emitter Leakage Current
Tradename
Process Technology
Minimum Transition Frequency
Typical Transition Frequency
Technology
Channel Type
Configuration
Maximum Collector-Emitter Voltage
Maximum Gate Emitter Voltage
Maximum Continuous Collector Current
Maximum Power Dissipation
Typical Collector Emitter Saturation Voltage
Minimum Operating Temperature
Maximum Operating Temperature