BAT 68-06W H6327

BAT 68-06W H6327

Infineon Technologies AG

Descrição:

Diode RF Schottky 8V 150mW 3-Pin SOT-323 T/R

País de origem:

China

Data de introdução:

Feb 11, 1997

Atualizado:15-NOV-2024

Visão geral

Familiarize-se com as informações gerais, propriedades e características fundamentais do componente, juntamente com sua conformidade com as normas e regulamentos da indústria.

Ciclo de VidaPremium
EU RoHS Yes
Versão RoHS2011/65/EU, 2015/863
Caminho da Categoria
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > RF Diodes > RF Diodes and Mixers

Ficha técnica

Obtenha uma compreensão abrangente do componente eletrônico baixando sua folha de dados. Este documento em PDF inclui todos os detalhes necessários, como visão geral do produto, características, especificações, classificações, diagramas, aplicações e muito mais.

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Fabricação

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