ZTX851

Descrição:

Trans GP BJT NPN 60V 5A 1200mW 3-Pin E-Line

País de origem:

China

Data de introdução:

Oct 29, 1997

Atualizado:06-NOV-2024

Visão geral

Familiarize-se com as informações gerais, propriedades e características fundamentais do componente, juntamente com sua conformidade com as normas e regulamentos da indústria.

Ciclo de VidaPremium
EU RoHSYes with Exemption
Versão RoHS2011/65/EU, 2015/863
EAR99
Automotivo No
Código CAGE do Fornecedor6M0U4
8541290095
SCHEDULE B8541290080
PPAP No
Qualificado AEC No
Caminho da Categoria
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > Bipolar Transistors > GP BJT

Ficha técnica

Obtenha uma compreensão abrangente do componente eletrônico baixando sua folha de dados. Este documento em PDF inclui todos os detalhes necessários, como visão geral do produto, características, especificações, classificações, diagramas, aplicações e muito mais.

Pré-visualização da folha de dados

(Latest Versão)

Pacote

As informações de embalagem do componente fornecem detalhes importantes sobre o tamanho, peso e embalagem do produto. Isso ajuda os engenheiros a determinar se o produto atende às suas necessidades e expectativas.

Basic Package Type
Package Family Name
Supplier Package
Package Description
Lead Shape
Pin Count
PCB
Package Diameter (mm)
Package Material
Mounting
Package Outline
Jedec

Fabricação

As informações de fabricação especificam os requisitos técnicos e as especificações para a produção e montagem do componente. Essas informações são cruciais para os fabricantes manterem a qualidade e confiabilidade dos componentes e garantirem que sejam compatíveis com outros dispositivos e componentes.

Paramétrico

As informações paramétricas exibem características vitais e métricas de desempenho do componente, o que ajuda os engenheiros e gerentes da cadeia de suprimentos a comparar e escolher o componente eletrônico mais adequado para suas aplicações e necessidades.

linha de produto
Maximum Offset Voltage
Collector Current for VCE Saturation
Minimum Transition Frequency
Typical Transition Frequency
Maximum Pulsed Collector Current
Process Technology
Maximum Diode Forward Voltage
Supplier Temperature Grade
Minimum Storage Temperature
Maximum Collector Cut-Off Current
Maximum Emitter Cut-Off Current
Maximum Junction Ambient Thermal Resistance
Maximum Junction Case Thermal Resistance
Typical Input Capacitance
Typical Output Capacitance
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
Output Power
Maximum Storage Temperature
Maximum Base Current
Operating Junction Temperature
Maximum Turn-On Time
Maximum Storage Time
Maximum Fall Time
Maximum Turn-Off Time
Maximum Noise Figure
Maximum Delay Time
Maximum Rise Time
Tipo
Configuration
Number of Elements per Chip
Maximum Collector Base Voltage
Maximum Emitter Base Voltage
Maximum Collector-Emitter Voltage
Maximum DC Collector Current
Maximum Power Dissipation
Material
Minimum DC Current Gain
Maximum Transition Frequency
Categoria
Minimum Operating Temperature
Maximum Operating Temperature

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