NT5AD512M8E3-JRU

NT5AD512M8E3-JRU

Nanya Technology

Opis:

DRAM Chip DDR4 SDRAM 4Gbit 512Mx8 1.2V

Data wprowadzenia:

Feb 10, 2022

Zaktualizowano:29-OCT-2024

Przegląd

Zapoznaj się z podstawowymi informacjami ogólnymi, właściwościami i charakterystykami komponentu, wraz z jego zgodnością z normami i przepisami branżowymi.

Cykl życiaPremium
Ścieżka kategorii
Semiconductor > Memory > Memory Chips > DRAM Chip

Parametryczny

Informacje parametryczne wyświetlają istotne cechy i wskaźniki wydajności komponentu, co pomaga inżynierom i menadżerom łańcucha dostaw porównać i wybrać najbardziej odpowiedni komponent elektroniczny do swoich aplikacji i potrzeb.

linia produkcyjna
Maximum Refresh Cycle Time
Process Technology
Supplier Temperature Grade
Number of I/O Lines
Operating Supply Voltage
Number of Bits per Word
Minimum Storage Temperature
Maximum Storage Temperature
Refresh Cycles
Density
Typ
Interface Type
Organization
Maximum Clock Rate
Maximum Access Time
Number of Internal Banks
Number of Words per Bank
Typical Operating Supply Voltage
Minimum Operating Supply Voltage
Maximum Operating Supply Voltage
Minimum Operating Temperature
Maximum Operating Temperature
Data Bus Width
Address Bus Width
Maximum Operating Current
Density in Bits

Zamienniki

Zainteresowany(a) większą ilością darmowych danych?

Odkryj odpowiednik pod względem formy, dopasowania i funkcji od innego producenta, a nawet odpowiednie aktualizacje i obniżki, oraz wiele więcej.

Przejdź na Premium

Brak karty kredytowej. Brak zobowiązań.