IXYP10N65C3D1
LittelfuseOpis: | High Performance 650V IGBT Chip |
Kraj pochodzenia: | Korea (Republic of) |
Data wprowadzenia: | Jun 30, 2016 |
Zaktualizowano:15-NOV-2024 | |
Zobacz więcej IGBT Chip przez Littelfuse | |
Wersja online:https://www.datasheets.com/pl/part-details/ixyp10n65c3d1-littelfuse-413201173
Przegląd
Zapoznaj się z podstawowymi informacjami ogólnymi, właściwościami i charakterystykami komponentu, wraz z jego zgodnością z normami i przepisami branżowymi.
Cykl życiaPremium
EU RoHS Yes
Wersja RoHS2011/65/EU, 2015/863
Ścieżka kategorii
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > IGBT Transistors > IGBT Chip
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > IGBT Transistors > IGBT Chip
Arkusz danych
Zdobądź kompleksową wiedzę na temat komponentu elektronicznego, pobierając jego karcie katalogowej. Ten dokument PDF zawiera wszystkie niezbędne szczegóły, takie jak przegląd produktu, cechy, specyfikacje, oceny, diagramy, zastosowania i wiele więcej.