FP10R12W1T7P_B3
Infineon Technologies AGOpis: | Trans IGBT Module N-CH 1200V 10A 23-Pin |
Data wprowadzenia: | Dec 6, 2018 |
Zaktualizowano:08-DEC-2024 | |
Zobacz więcej IGBT Modules przez Infineon Technologies AG |
Wersja online:https://www.datasheets.com/pl/part-details/fp10r12w1t7p-b3-infineon-technologies-ag-410069733
Przegląd
Zapoznaj się z podstawowymi informacjami ogólnymi, właściwościami i charakterystykami komponentu, wraz z jego zgodnością z normami i przepisami branżowymi.
Cykl życiaPremium
EU RoHSYes with Exemption
Wersja RoHS2011/65/EU, 2015/863
EAR99
Motoryzacja No
Kod Dostawcy CAGEC6489
8541290095
Harmonogram B8541290080
PPAP No
Kwalifikowany przez AEC No
Ścieżka kategorii
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > IGBT Transistors > IGBT Modules
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > IGBT Transistors > IGBT Modules
Arkusz danych
Zdobądź kompleksową wiedzę na temat komponentu elektronicznego, pobierając jego karcie katalogowej. Ten dokument PDF zawiera wszystkie niezbędne szczegóły, takie jak przegląd produktu, cechy, specyfikacje, oceny, diagramy, zastosowania i wiele więcej.