Datasheets
FDP12N60NZ

FDP12N60NZ

onsemi

Opis:

Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Kraj pochodzenia:

China

Data wprowadzenia:

Jul 8, 2010

Zaktualizowano:19-DEC-2024

Zobacz więcej MOSFETs przez onsemi
Modele CAD
Specyfikacje częściCena i dostępność

Przegląd

Zapoznaj się z podstawowymi informacjami ogólnymi, właściwościami i charakterystykami komponentu, wraz z jego zgodnością z normami i przepisami branżowymi.

Cykl życiaPremium
EU RoHSYes with Exemption
Wersja RoHS2011/65/EU, 2015/863
EAR99
Motoryzacja No
Kod Dostawcy CAGE1MQ07
8541290095
Harmonogram B8541290080
PPAP No
Kwalifikowany przez AEC No
Ścieżka kategorii
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > FET Transistors > MOSFETs

Arkusz danych

Zdobądź kompleksową wiedzę na temat komponentu elektronicznego, pobierając jego karcie katalogowej. Ten dokument PDF zawiera wszystkie niezbędne szczegóły, takie jak przegląd produktu, cechy, specyfikacje, oceny, diagramy, zastosowania i wiele więcej.

Arkusz danych dostawcy
(Zewnętrzny link)
Pobierz PDF
(Latest Wersja)

Podgląd karty katalogowej

(Latest Wersja)

Produkcja

Informacje produkcyjne określają techniczne wymagania i specyfikacje dotyczące produkcji i montażu komponentu. Te informacje są kluczowe dla producentów, aby utrzymać jakość i niezawodność komponentów oraz zapewnić ich kompatybilność z innymi urządzeniami i komponentami.

Number of Wave Cycles

Parametryczny

Informacje parametryczne wyświetlają istotne cechy i wskaźniki wydajności komponentu, co pomaga inżynierom i menadżerom łańcucha dostaw porównać i wybrać najbardziej odpowiedni komponent elektroniczny do swoich aplikacji i potrzeb.

linia produkcyjna
Breakdown Voltage Type
Minimum DC Current Gain
Typical Switch Charge
Typical Gate Resistance
Typical Reverse Recovery Charge
Typical Forward Transconductance
Tradename
Minimum Gate Threshold Voltage
Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds
Maximum Offset Voltage
Maximum Positive Gate Source Voltage
Minimum Gate Resistance
Maximum Gate Resistance
Typical Gate Threshold Voltage
Typical Diode Forward Voltage
Maximum Diode Forward Voltage
Typical Reverse Recovery Time
Maximum Pulsed Drain Current @ TC=25°C
Maximum Forward Transconductance
Minimum Forward Transconductance
Minimum IDSS
ID For GFS
VDS For GFS
Maximum Input Capacitance @ Vds
Typical IDSS
Maximum Storage Temperature
Operating Junction Temperature
Maximum Gate Source Leakage Current
Minimum Storage Temperature
Typical Gate to Drain Charge
Typical Gate to Source Charge
Maximum Junction Ambient Thermal Resistance
Maximum Junction Case Thermal Resistance
Typical Fall Time
Typical Rise Time
Typical Turn-Off Delay Time
Supplier Temperature Grade
Typical Turn-On Delay Time
Configuration
Maximum Absolute Continuous Drain Current
Kategoria
Channel Mode
Channel Type
Number of Elements per Chip
Process Technology
Maximum Drain Source Voltage
Maximum Gate Source Voltage
Maximum Continuous Drain Current
Material
Maximum Gate Threshold Voltage
Maximum Drain Source Resistance
Maximum IDSS
Typical Gate Charge @ Vgs
Typical Gate Charge @ 10V
Typical Input Capacitance @ Vds
Maximum Power Dissipation
Minimum Operating Temperature
Maximum Operating Temperature
Typical Output Capacitance

Modele CAD

Uzyskaj dostęp do 3D-modeli CAD, symboli i odcisków komponentów. Zwizualizuj jego strukturę i wymiary, integruj projekty i optymalizuj wydajność bez wysiłku.

Zamienniki

Zainteresowany(a) większą ilością darmowych danych?

Odkryj odpowiednik pod względem formy, dopasowania i funkcji od innego producenta, a nawet odpowiednie aktualizacje i obniżki, oraz wiele więcej.

Przejdź na Premium

Brak karty kredytowej. Brak zobowiązań.