Datasheets
BFR93AR

BFR93AR

Infineon Technologies AG
Opis:

Trans RF BJT NPN 12V 0.09A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23

Kraj pochodzenia: China
Data wprowadzenia:Dec 12, 1996

Zaktualizowano: 09-DEC-2024

Zobacz więcej RF BJT przez Infineon Technologies AG
Specyfikacje części

Przegląd

Zapoznaj się z podstawowymi informacjami ogólnymi, właściwościami i charakterystykami komponentu, wraz z jego zgodnością z normami i przepisami branżowymi.

Cykl życiaPremium
EU RoHS Yes
Wersja RoHS2002/95/EC
EAR99
Motoryzacja Yes
Kod Dostawcy CAGEC6489
8541210075
Harmonogram B8541210080
Kwalifikowany przez AEC Yes
Ścieżka kategorii
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > Bipolar Transistors > RF BJT

Arkusz danych

Zdobądź kompleksową wiedzę na temat komponentu elektronicznego, pobierając jego karcie katalogowej. Ten dokument PDF zawiera wszystkie niezbędne szczegóły, takie jak przegląd produktu, cechy, specyfikacje, oceny, diagramy, zastosowania i wiele więcej.

Arkusz danych dostawcy
(Zewnętrzny link)
Pobierz PDF
(Latest Wersja)

Parametryczny

Informacje parametryczne wyświetlają istotne cechy i wskaźniki wydajności komponentu, co pomaga inżynierom i menadżerom łańcucha dostaw porównać i wybrać najbardziej odpowiedni komponent elektroniczny do swoich aplikacji i potrzeb.

linia produkcyjna
Maximum Turn-Off Time
Maximum Rise Time
Maximum Emitter Cut-Off Current
Maximum DC Collector Current Range
Collector Current for VCE Saturation
Typical Transition Frequency
Minimum Transition Frequency
Process Technology
Maximum Collector-Emitter Voltage Range
Maximum Collector Cut-Off Current
Typical Collector Efficiency
Tradename
Supplier Temperature Grade
Minimum Storage Temperature
Maximum Storage Temperature
Typ
Configuration
Number of Elements per Chip
Maximum Collector-Emitter Voltage
Maximum Collector Base Voltage
Maximum Emitter Base Voltage
Maximum DC Collector Current
Maximum Power Dissipation
Maximum Junction Ambient Thermal Resistance
Maximum Junction Case Thermal Resistance
Minimum DC Current Gain
Minimum DC Current Gain Range
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
Maximum Transition Frequency
Maximum Turn-On Time
Maximum Noise Figure
Typical Input Capacitance
Typical Output Capacitance
Output Power
Maximum Power 1dB Compression
Operational Bias Conditions
Typical Power Gain
Maximum 3rd Order Intercept Point
Minimum Operating Temperature
Maximum Operating Temperature
Material

Zamienniki

Zainteresowany(a) większą ilością darmowych danych?

Odkryj odpowiednik pod względem formy, dopasowania i funkcji od innego producenta, a nawet odpowiednie aktualizacje i obniżki, oraz wiele więcej.

Przejdź na Premium

Brak karty kredytowej. Brak zobowiązań.