BAT 68-06W H6327
Infineon Technologies AGOpis: | Diode RF Schottky 8V 150mW 3-Pin SOT-323 T/R |
Kraj pochodzenia: | China |
Data wprowadzenia: | Feb 11, 1997 |
Zaktualizowano:15-NOV-2024 | |
Zobacz więcej RF Diodes and Mixers przez Infineon Technologies AG | |
Wersja online:https://www.datasheets.com/pl/part-details/bat-68-06w-h6327-infineon-technologies-ag-42945001
Przegląd
Zapoznaj się z podstawowymi informacjami ogólnymi, właściwościami i charakterystykami komponentu, wraz z jego zgodnością z normami i przepisami branżowymi.
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > RF Diodes > RF Diodes and Mixers
Arkusz danych
Zdobądź kompleksową wiedzę na temat komponentu elektronicznego, pobierając jego karcie katalogowej. Ten dokument PDF zawiera wszystkie niezbędne szczegóły, takie jak przegląd produktu, cechy, specyfikacje, oceny, diagramy, zastosowania i wiele więcej.
Podgląd karty katalogowej
(Latest Wersja)Produkcja
Informacje produkcyjne określają techniczne wymagania i specyfikacje dotyczące produkcji i montażu komponentu. Te informacje są kluczowe dla producentów, aby utrzymać jakość i niezawodność komponentów oraz zapewnić ich kompatybilność z innymi urządzeniami i komponentami.