2SA1115
Mitsubishi ElectricOpis: | Silicon NPN Epitaxial Transistor Low Frequency |
Data wprowadzenia: | Apr 6, 2001 |
Zaktualizowano:09-DEC-2024 | |
Zobacz więcej GP BJT przez Mitsubishi Electric | |
Wersja online:https://www.datasheets.com/pl/part-details/2sa1115-mitsubishi-electric-1848035380
Przegląd
Zapoznaj się z podstawowymi informacjami ogólnymi, właściwościami i charakterystykami komponentu, wraz z jego zgodnością z normami i przepisami branżowymi.
Cykl życiaPremium
Motoryzacja Unknown
Kod Dostawcy CAGEJ4925
Kwalifikowany przez AEC Unknown
Ścieżka kategorii
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > Bipolar Transistors > GP BJT
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > Bipolar Transistors > GP BJT
Arkusz danych
Zdobądź kompleksową wiedzę na temat komponentu elektronicznego, pobierając jego karcie katalogowej. Ten dokument PDF zawiera wszystkie niezbędne szczegóły, takie jak przegląd produktu, cechy, specyfikacje, oceny, diagramy, zastosowania i wiele więcej.