Opis: | PNP Epitaxial Planar Silicon High Voltage Transistor |
Kraj pochodzenia: | India |
Data wprowadzenia: | Apr 16, 2001 |
Zaktualizowano:+90 dni | |
Zobacz więcej GP BJT przez Continental Device India Limited | |
Wersja online:https://www.datasheets.com/pl/part-details/2n5401-continental-device-india-limited-61519279
Przegląd
Zapoznaj się z podstawowymi informacjami ogólnymi, właściwościami i charakterystykami komponentu, wraz z jego zgodnością z normami i przepisami branżowymi.
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > Bipolar Transistors > GP BJT
Arkusz danych
Zdobądź kompleksową wiedzę na temat komponentu elektronicznego, pobierając jego karcie katalogowej. Ten dokument PDF zawiera wszystkie niezbędne szczegóły, takie jak przegląd produktu, cechy, specyfikacje, oceny, diagramy, zastosowania i wiele więcej.
Podgląd karty katalogowej
(Latest Wersja)Projekty referencyjne
Odblokuj inspirację i wytyczne dzięki naszej kolekcji projektów referencyjnych. Zbadaj praktyczne implementacje prezentujące możliwości komponentu elektronicznego. Przyspiesz swój proces rozwoju i twórz efektywne rozwiązania dzięki szczegółowej dokumentacji i schematom.
