2N3771
Solitron Devices IncOpis: | Bipolar Power Transistors |
Kraj pochodzenia: | United States of America |
Data wprowadzenia: | Aug 29, 2017 |
Zaktualizowano:+90 dni | |
Zobacz więcej GP BJT przez Solitron Devices Inc | |
Wersja online:https://www.datasheets.com/pl/part-details/2n3771-solitron-devices-inc-90493521
Przegląd
Zapoznaj się z podstawowymi informacjami ogólnymi, właściwościami i charakterystykami komponentu, wraz z jego zgodnością z normami i przepisami branżowymi.
Cykl życiaPremium
EU RoHS Unknown
Wersja RoHS2002/95/EC
Ścieżka kategorii
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > Bipolar Transistors > GP BJT
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > Bipolar Transistors > GP BJT
Arkusz danych
Zdobądź kompleksową wiedzę na temat komponentu elektronicznego, pobierając jego karcie katalogowej. Ten dokument PDF zawiera wszystkie niezbędne szczegóły, takie jak przegląd produktu, cechy, specyfikacje, oceny, diagramy, zastosowania i wiele więcej.