![RN1903FE,LF](/img/categories/diodes--transistors-and-thyristors.png)
RN1903FE,LF
ToshibaOpis: | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 100mW 6-Pin ES T/R |
Kraj pochodzenia: | Thailand |
Data wprowadzenia: | Jan 9, 2003 |
Zaktualizowano: 16-NOV-2024 | |
Zobacz więcej Digital BJT - Pre-Biased przez Toshiba |
Wersja online:https://www.datasheets.com/pl/part-details/rn1903fe-lf-toshiba-411664600
Przegląd
Zapoznaj się z podstawowymi informacjami ogólnymi, właściwościami i charakterystykami komponentu, wraz z jego zgodnością z normami i przepisami branżowymi.
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > Bipolar Transistors > Digital BJT - Pre-Biased
Arkusz danych
Zdobądź kompleksową wiedzę na temat komponentu elektronicznego, pobierając jego karcie katalogowej. Ten dokument PDF zawiera wszystkie niezbędne szczegóły, takie jak przegląd produktu, cechy, specyfikacje, oceny, diagramy, zastosowania i wiele więcej.
Modele CAD
Uzyskaj dostęp do 3D-modeli CAD, symboli i odcisków komponentów. Zwizualizuj jego strukturę i wymiary, integruj projekty i optymalizuj wydajność bez wysiłku.