IXFQ26N50P3
Littelfuse설명: | Trans MOSFET N-CH 500V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-3P |
원산지: | Korea (Republic of) |
출시일: | Jun 27, 2018 |
업데이트됨:15-NOV-2024 | |
온라인 버전:https://www.datasheets.com/ko/part-details/ixfq26n50p3-littelfuse-413149810
개요
컴포넌트의 기본 일반 정보, 특성 및 특징에 익숙해지세요. 또한 해당 컴포넌트가 산업 기준과 규정을 준수하는지 확인하세요.
수명 주기프리미엄
EU RoHSYes with Exemption
RoHS 버전2011/65/EU, 2015/863
카테고리 경로
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > FET Transistors > MOSFETs
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데이터시트
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(Latest 버전)파라미터
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제품 계열
Breakdown Voltage Type
Minimum DC Current Gain
Typical Switch Charge
Typical Gate Resistance
Typical Reverse Recovery Charge
Typical Forward Transconductance
Tradename
Minimum Gate Threshold Voltage
Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds
Maximum Offset Voltage
Maximum Positive Gate Source Voltage
Minimum Gate Resistance
Maximum Gate Resistance
Typical Gate Threshold Voltage
Typical Diode Forward Voltage
Maximum Diode Forward Voltage
Typical Reverse Recovery Time
Maximum Pulsed Drain Current @ TC=25°C
Maximum Forward Transconductance
Minimum Forward Transconductance
Minimum IDSS
ID For GFS
VDS For GFS
Maximum Input Capacitance @ Vds
Typical IDSS
Maximum Storage Temperature
Operating Junction Temperature
Maximum Gate Source Leakage Current
Minimum Storage Temperature
Typical Gate to Drain Charge
Typical Gate to Source Charge
Maximum Junction Ambient Thermal Resistance
Maximum Junction Case Thermal Resistance
Typical Fall Time
Typical Rise Time
Typical Turn-Off Delay Time
Supplier Temperature Grade
Typical Turn-On Delay Time
Configuration
Maximum Absolute Continuous Drain Current
카테고리
Channel Mode
Channel Type
Number of Elements per Chip
Process Technology
Maximum Drain Source Voltage
Maximum Gate Source Voltage
Maximum Continuous Drain Current
Material
Maximum Gate Threshold Voltage
Maximum Drain Source Resistance
Maximum IDSS
Typical Gate Charge @ Vgs
Typical Gate Charge @ 10V
Typical Input Capacitance @ Vds
Maximum Power Dissipation
Minimum Operating Temperature
Maximum Operating Temperature
Typical Output Capacitance