HYB18H512321AF-14
Qimonda AG| Açıklama: | DRAM Chip GDDR3 GRAM 512Mbit 16Mx32 2V 136-Pin TFBGA |
| Tanıtım tarihi: | Aug 18, 2005 |
Güncellendi: +90 günler | |
Daha fazlasını görüntüle DRAM Chip tarafından Qimonda AG | |
Çevrimiçi versiyon:https://www.datasheets.com/tr/part-details/hyb18h512321af-14-qimonda-ag-46334248
Genel Bakış
Bileşenin temel genel bilgileri, özellikleri ve karakteristikleriyle birlikte endüstri standartlarına ve yönetmeliklere uyumu hakkında bilgi edinin.
Yaşam DöngüsüPremium
AB RoHS Yes
RoHS Sürümü2002/95/EC
Kategori Yolu
Semiconductor > Memory > Memory Chips > DRAM Chip
Semiconductor > Memory > Memory Chips > DRAM Chip
Veri sayfası
Elektronik bileşenin teknik bilgi sayfasını indirerek kapsamlı bir anlayış elde edin. Bu PDF belgesi, ürün genel bakışı, özellikleri, spesifikasyonları, değerlendirmeleri, diyagramları, uygulamaları ve daha fazlası gibi tüm gerekli ayrıntıları içerir.
Parametrik
Parametrik bilgiler, bileşenin önemli özelliklerini ve performans metriklerini görüntüler ve bu, mühendislerin ve tedarik zinciri yöneticilerinin uygulamaları ve ihtiyaçları için en uygun elektronik bileşeni karşılaştırmasına ve seçmesine yardımcı olur.
Kısıtlı bilgileri görüntülemek için giriş yapmanız gerekmektedir.
ürün hattı
Maximum Refresh Cycle Time
Process Technology
Supplier Temperature Grade
Number of I/O Lines
Operating Supply Voltage
Number of Bits per Word
Minimum Storage Temperature
Maximum Storage Temperature
Refresh Cycles
Density
Tip
Interface Type
Organization
Maximum Clock Rate
Maximum Access Time
Number of Internal Banks
Number of Words per Bank
Typical Operating Supply Voltage
Minimum Operating Supply Voltage
Maximum Operating Supply Voltage
Minimum Operating Temperature
Maximum Operating Temperature
Data Bus Width
Address Bus Width
Maximum Operating Current
Density in Bits