MT53E512M32D1ZW-046 IT:B
Micron TechnologyPenerangan: | DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 16Gbit 512Mx32 1.1V/1.8V 200-Pin TFBGA T/R/Tray |
Negara Asal: | China |
Tarikh Pengenalan: | Dec 16, 2020 |
Dikemaskini:09-OCT-2024 | |
Lihat lebih banyak DRAM Chip oleh Micron Technology | |
Versi dalam talian:https://www.datasheets.com/ms/part-details/mt53e512m32d1zw-046-it-b-micron-technology-1845249514
Gambaran Keseluruhan
Kenali diri anda dengan maklumat am asas, ciri-ciri, dan sifat-sifat komponen, serta pematuhan komponen tersebut terhadap piawaian industri dan peraturan.
Kitaran hidupPremium
EU RoHS Yes
Versi RoHS2011/65/EU, 2015/863
Laluan Kategori
Semiconductor > Memory > Memory Chips > DRAM Chip
Semiconductor > Memory > Memory Chips > DRAM Chip
Parametrik
Maklumat parameter menunjukkan ciri-ciri penting dan metrik prestasi komponen, yang membantu jurutera dan pengurus rantaian bekalan untuk membandingkan dan memilih komponen elektronik yang paling sesuai untuk aplikasi dan keperluan mereka.
Anda mesti log masuk untuk melihat maklumat yang terhad.
barisan produk
Maximum Refresh Cycle Time
Process Technology
Supplier Temperature Grade
Number of I/O Lines
Operating Supply Voltage
Number of Bits per Word
Minimum Storage Temperature
Maximum Storage Temperature
Refresh Cycles
Density
Jenis
Interface Type
Organization
Maximum Clock Rate
Maximum Access Time
Number of Internal Banks
Number of Words per Bank
Typical Operating Supply Voltage
Minimum Operating Supply Voltage
Maximum Operating Supply Voltage
Minimum Operating Temperature
Maximum Operating Temperature
Data Bus Width
Address Bus Width
Maximum Operating Current
Density in Bits