Datasheets
K4T51163QQ-BIE6TCV

K4T51163QQ-BIE6TCV

Samsung Electronics

Penerangan:

512Mb Q-die DDR2 SDRAM

Tarikh Pengenalan:

Feb 25, 2014

Dikemaskini:+90 hari

Lihat lebih banyak DRAM Chip oleh Samsung Electronics
Spesifikasi Bahagian

Gambaran Keseluruhan

Kenali diri anda dengan maklumat am asas, ciri-ciri, dan sifat-sifat komponen, serta pematuhan komponen tersebut terhadap piawaian industri dan peraturan.

Kitaran hidupPremium
EU RoHS Yes
Versi RoHS2011/65/EU, 2015/863
Laluan Kategori
Semiconductor > Memory > Memory Chips > DRAM Chip

Lembaran Data

Dapatkan pemahaman menyeluruh mengenai komponen elektronik dengan memuat turun lembaran data. Dokumen PDF ini mengandungi semua butiran yang diperlukan, seperti gambaran keseluruhan produk, ciri-ciri, spesifikasi, penarafan, gambarajah, aplikasi, dan lain-lain.

Muat Turun PDF
(Latest Versi)

Pratonton Lembaran Data

(Latest Versi)

Parametrik

Maklumat parameter menunjukkan ciri-ciri penting dan metrik prestasi komponen, yang membantu jurutera dan pengurus rantaian bekalan untuk membandingkan dan memilih komponen elektronik yang paling sesuai untuk aplikasi dan keperluan mereka.

barisan produk
Maximum Refresh Cycle Time
Process Technology
Supplier Temperature Grade
Number of I/O Lines
Operating Supply Voltage
Number of Bits per Word
Minimum Storage Temperature
Maximum Storage Temperature
Refresh Cycles
Density
Jenis
Interface Type
Organization
Maximum Clock Rate
Maximum Access Time
Number of Internal Banks
Number of Words per Bank
Typical Operating Supply Voltage
Minimum Operating Supply Voltage
Maximum Operating Supply Voltage
Minimum Operating Temperature
Maximum Operating Temperature
Data Bus Width
Address Bus Width
Maximum Operating Current
Density in Bits

Salib

Berminat dengan Lebih Banyak Data Percuma?

Temui padanan bentuk-fungsi yang setaraf dari pengeluar lain atau naik taraf dan turun taraf yang sesuai, dan banyak lagi.

Jadi Premium

Tiada Kad Kredit. Tiada Komitmen.