Datasheets
HYG009N04LS1C2

HYG009N04LS1C2

Huayi Microelectronics Co., Ltd

Penerangan:

Single N Channel Enhancement Mode MOSFET

Tarikh Pengenalan:

Apr 16, 2021

Dikemaskini:21-NOV-2024

Lihat lebih banyak MOSFETs oleh Huayi Microelectronics Co., Ltd
Spesifikasi Bahagian

Gambaran Keseluruhan

Kenali diri anda dengan maklumat am asas, ciri-ciri, dan sifat-sifat komponen, serta pematuhan komponen tersebut terhadap piawaian industri dan peraturan.

Kitaran hidupPremium
EU RoHS Yes
Versi RoHS2011/65/EU
Laluan Kategori
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > FET Transistors > MOSFETs

Lembaran Data

Dapatkan pemahaman menyeluruh mengenai komponen elektronik dengan memuat turun lembaran data. Dokumen PDF ini mengandungi semua butiran yang diperlukan, seperti gambaran keseluruhan produk, ciri-ciri, spesifikasi, penarafan, gambarajah, aplikasi, dan lain-lain.

Lembaran Data Pembekal
(Pautan luar)
Muat Turun PDF
(Latest Versi)

Pratonton Lembaran Data

(Latest Versi)

Parametrik

Maklumat parameter menunjukkan ciri-ciri penting dan metrik prestasi komponen, yang membantu jurutera dan pengurus rantaian bekalan untuk membandingkan dan memilih komponen elektronik yang paling sesuai untuk aplikasi dan keperluan mereka.

barisan produk
Breakdown Voltage Type
Minimum DC Current Gain
Typical Switch Charge
Typical Gate Resistance
Typical Reverse Recovery Charge
Typical Forward Transconductance
Tradename
Minimum Gate Threshold Voltage
Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds
Maximum Offset Voltage
Maximum Positive Gate Source Voltage
Minimum Gate Resistance
Maximum Gate Resistance
Typical Gate Threshold Voltage
Typical Diode Forward Voltage
Maximum Diode Forward Voltage
Typical Reverse Recovery Time
Maximum Pulsed Drain Current @ TC=25°C
Maximum Forward Transconductance
Minimum Forward Transconductance
Minimum IDSS
ID For GFS
VDS For GFS
Maximum Input Capacitance @ Vds
Typical IDSS
Maximum Storage Temperature
Operating Junction Temperature
Maximum Gate Source Leakage Current
Minimum Storage Temperature
Typical Gate to Drain Charge
Typical Gate to Source Charge
Maximum Junction Ambient Thermal Resistance
Maximum Junction Case Thermal Resistance
Typical Fall Time
Typical Rise Time
Typical Turn-Off Delay Time
Supplier Temperature Grade
Typical Turn-On Delay Time
Configuration
Maximum Absolute Continuous Drain Current
Kategori
Channel Mode
Channel Type
Number of Elements per Chip
Process Technology
Maximum Drain Source Voltage
Maximum Gate Source Voltage
Maximum Continuous Drain Current
Material
Maximum Gate Threshold Voltage
Maximum Drain Source Resistance
Maximum IDSS
Typical Gate Charge @ Vgs
Typical Gate Charge @ 10V
Typical Input Capacitance @ Vds
Maximum Power Dissipation
Minimum Operating Temperature
Maximum Operating Temperature
Typical Output Capacitance

Salib

Berminat dengan Lebih Banyak Data Percuma?

Temui padanan bentuk-fungsi yang setaraf dari pengeluar lain atau naik taraf dan turun taraf yang sesuai, dan banyak lagi.

Jadi Premium

Tiada Kad Kredit. Tiada Komitmen.