Datasheets
FDU8780

FDU8780

onsemi

Penerangan:

Trans MOSFET N-CH 25V 35A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

Negara Asal:

China

Tarikh Pengenalan:

Mar 9, 2006

Dikemaskini:18-NOV-2024

Lihat lebih banyak MOSFETs oleh onsemi
Model CAD
Spesifikasi BahagianHarga & Ketersediaan

Gambaran Keseluruhan

Kenali diri anda dengan maklumat am asas, ciri-ciri, dan sifat-sifat komponen, serta pematuhan komponen tersebut terhadap piawaian industri dan peraturan.

Kitaran hidupPremium
EU RoHSYes with Exemption
Versi RoHS2011/65/EU, 2015/863
Laluan Kategori
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > FET Transistors > MOSFETs

Lembaran Data

Dapatkan pemahaman menyeluruh mengenai komponen elektronik dengan memuat turun lembaran data. Dokumen PDF ini mengandungi semua butiran yang diperlukan, seperti gambaran keseluruhan produk, ciri-ciri, spesifikasi, penarafan, gambarajah, aplikasi, dan lain-lain.

Lembaran Data Pembekal
(Pautan luar)
Muat Turun PDF
(Latest Versi)

Pratonton Lembaran Data

(Latest Versi)

Pengeluaran

Maklumat pengeluaran menentukan keperluan teknikal dan spesifikasi untuk menghasilkan dan memasang komponen. Maklumat ini penting bagi pengeluar untuk mengekalkan kualiti dan kebolehpercayaan komponen, dan memastikan keserasian mereka dengan peranti dan komponen lain.

Number of Wave Cycles

Parametrik

Maklumat parameter menunjukkan ciri-ciri penting dan metrik prestasi komponen, yang membantu jurutera dan pengurus rantaian bekalan untuk membandingkan dan memilih komponen elektronik yang paling sesuai untuk aplikasi dan keperluan mereka.

barisan produk
Breakdown Voltage Type
Minimum DC Current Gain
Typical Switch Charge
Typical Gate Resistance
Typical Reverse Recovery Charge
Typical Forward Transconductance
Tradename
Minimum Gate Threshold Voltage
Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds
Maximum Offset Voltage
Maximum Positive Gate Source Voltage
Minimum Gate Resistance
Maximum Gate Resistance
Typical Gate Threshold Voltage
Typical Diode Forward Voltage
Maximum Diode Forward Voltage
Typical Reverse Recovery Time
Maximum Pulsed Drain Current @ TC=25°C
Maximum Forward Transconductance
Minimum Forward Transconductance
Minimum IDSS
ID For GFS
VDS For GFS
Maximum Input Capacitance @ Vds
Typical IDSS
Maximum Storage Temperature
Operating Junction Temperature
Maximum Gate Source Leakage Current
Minimum Storage Temperature
Typical Gate to Drain Charge
Typical Gate to Source Charge
Maximum Junction Ambient Thermal Resistance
Maximum Junction Case Thermal Resistance
Typical Fall Time
Typical Rise Time
Typical Turn-Off Delay Time
Supplier Temperature Grade
Typical Turn-On Delay Time
Configuration
Maximum Absolute Continuous Drain Current
Kategori
Channel Mode
Channel Type
Number of Elements per Chip
Process Technology
Maximum Drain Source Voltage
Maximum Gate Source Voltage
Maximum Continuous Drain Current
Material
Maximum Gate Threshold Voltage
Maximum Drain Source Resistance
Maximum IDSS
Typical Gate Charge @ Vgs
Typical Gate Charge @ 10V
Typical Input Capacitance @ Vds
Maximum Power Dissipation
Minimum Operating Temperature
Maximum Operating Temperature
Typical Output Capacitance

Model CAD

Akses model CAD 3D, simbol, dan jejak kaki komponen. Visualisasikan struktur dan dimensi, gabungkan reka bentuk, dan optimalkan prestasi dengan mudah.

Salib

Berminat dengan Lebih Banyak Data Percuma?

Temui padanan bentuk-fungsi yang setaraf dari pengeluar lain atau naik taraf dan turun taraf yang sesuai, dan banyak lagi.

Jadi Premium

Tiada Kad Kredit. Tiada Komitmen.