D44H7
Mospec SemiconductorPenerangan: | Trans GP BJT NPN 60V 10A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
Negara Asal: | Taiwan (Province of China) |
Tarikh Pengenalan: | Nov 16, 2000 |
Dikemaskini:03-DEC-2024 | |
Lihat lebih banyak GP BJT oleh Mospec Semiconductor | |
Versi dalam talian:https://www.datasheets.com/ms/part-details/d44h7-mospec-semiconductor-18196898
Gambaran Keseluruhan
Kenali diri anda dengan maklumat am asas, ciri-ciri, dan sifat-sifat komponen, serta pematuhan komponen tersebut terhadap piawaian industri dan peraturan.
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > Bipolar Transistors > GP BJT
Lembaran Data
Dapatkan pemahaman menyeluruh mengenai komponen elektronik dengan memuat turun lembaran data. Dokumen PDF ini mengandungi semua butiran yang diperlukan, seperti gambaran keseluruhan produk, ciri-ciri, spesifikasi, penarafan, gambarajah, aplikasi, dan lain-lain.
Pratonton Lembaran Data
(Latest Versi)Pengeluaran
Maklumat pengeluaran menentukan keperluan teknikal dan spesifikasi untuk menghasilkan dan memasang komponen. Maklumat ini penting bagi pengeluar untuk mengekalkan kualiti dan kebolehpercayaan komponen, dan memastikan keserasian mereka dengan peranti dan komponen lain.