NT5AD256M16E4-HRI
Nanya Technology설명: | DRAM Chip DDR4 SDRAM 4Gbit 256Mx16 1.2V 96-Pin TFBGA |
출시일: | Feb 10, 2022 |
업데이트됨:11-NOV-2024 | |
온라인 버전:https://www.datasheets.com/ko/part-details/nt5ad256m16e4-hri-nanya-technology-1845245597
개요
컴포넌트의 기본 일반 정보, 특성 및 특징에 익숙해지세요. 또한 해당 컴포넌트가 산업 기준과 규정을 준수하는지 확인하세요.
수명 주기프리미엄
EU RoHS Yes
RoHS 버전2011/65/EU, 2015/863
카테고리 경로
Semiconductor > Memory > Memory Chips > DRAM Chip
Semiconductor > Memory > Memory Chips > DRAM Chip
파라미터
파라미터 정보는 컴포넌트의 중요한 특징과 성능 지표를 표시합니다. 이는 엔지니어 및 공급망 관리자들이 자신들의 애플리케이션과 요구 사항에 가장 적합한 전자 부품을 비교하고 선택하는 데 도움을 줍니다.
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제품 계열
Maximum Refresh Cycle Time
Process Technology
Supplier Temperature Grade
Number of I/O Lines
Operating Supply Voltage
Number of Bits per Word
Minimum Storage Temperature
Maximum Storage Temperature
Refresh Cycles
Density
유형
Interface Type
Organization
Maximum Clock Rate
Maximum Access Time
Number of Internal Banks
Number of Words per Bank
Typical Operating Supply Voltage
Minimum Operating Supply Voltage
Maximum Operating Supply Voltage
Minimum Operating Temperature
Maximum Operating Temperature
Data Bus Width
Address Bus Width
Maximum Operating Current
Density in Bits