HD1A4A-T1-AZ
Renesas Electronics설명: | Trans Digital BJT NPN 60V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) Power Mini-Mold |
출시일: | Mar 3, 2011 |
업데이트됨:15-NOV-2024 | |
온라인 버전:https://www.datasheets.com/ko/part-details/hd1a4a-t1-az-renesas-electronics-406692362
개요
컴포넌트의 기본 일반 정보, 특성 및 특징에 익숙해지세요. 또한 해당 컴포넌트가 산업 기준과 규정을 준수하는지 확인하세요.
수명 주기프리미엄
EU RoHSYes with Exemption
RoHS 버전2011/65/EU, 2015/863
카테고리 경로
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > Bipolar Transistors > Digital BJT - Pre-Biased
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > Bipolar Transistors > Digital BJT - Pre-Biased
데이터시트
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제품 계열
Process Technology
Supplier Temperature Grade
Minimum DC Current Gain Range
Collector Current for VCE Saturation
Maximum Transition Frequency
Minimum Transition Frequency
Number of Elements per Chip
Minimum Storage Temperature
Maximum Storage Temperature
Maximum Base Current
Typical Base Emitter Resistor
Typical Current Gain Bandwidth
Operating Junction Temperature
유형
Configuration
Maximum Collector-Emitter Voltage
Maximum Continuous DC Collector Current
Maximum Power Dissipation
Typical Input Resistor
Typical Resistor Ratio
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage
Minimum DC Current Gain
Minimum Operating Temperature
Maximum Operating Temperature