FDS6990AS-NL
onsemi설명: | Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SOIC T/R |
원산지: | China |
출시일: | Mar 11, 2005 |
업데이트됨:15-NOV-2024 | |
더 보기 MOSFETs 작성자 onsemi | |
온라인 버전:https://www.datasheets.com/ko/part-details/fds6990as-nl-onsemi-19405669
개요
컴포넌트의 기본 일반 정보, 특성 및 특징에 익숙해지세요. 또한 해당 컴포넌트가 산업 기준과 규정을 준수하는지 확인하세요.
수명 주기프리미엄
EU RoHS Yes
RoHS 버전2011/65/EU, 2015/863
카테고리 경로
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > FET Transistors > MOSFETs
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데이터시트
데이터시트를 다운로드하여 전자 부품에 대해 포괄적인 이해를 갖게 됩니다. 이 PDF 문서에는 제품 개요, 특징, 사양, 등급, 다이어그램, 응용 프로그램 등 모든 필요한 세부 정보가 포함되어 있습니다.
데이터시트 미리보기
(Latest 버전)제조
제조 정보는 컴포넌트의 제조 및 조립을 위한 기술적 요구 사항과 사양을 명시합니다. 이 정보는 제조업체가 컴포넌트의 품질과 신뢰성을 유지하고 다른 장치 및 구성 요소와 호환되도록 보장하는 데 중요합니다.
파라미터
파라미터 정보는 컴포넌트의 중요한 특징과 성능 지표를 표시합니다. 이는 엔지니어 및 공급망 관리자들이 자신들의 애플리케이션과 요구 사항에 가장 적합한 전자 부품을 비교하고 선택하는 데 도움을 줍니다.
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제품 계열
Breakdown Voltage Type
Minimum DC Current Gain
Typical Switch Charge
Typical Gate Resistance
Typical Reverse Recovery Charge
Typical Forward Transconductance
Tradename
Minimum Gate Threshold Voltage
Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds
Maximum Offset Voltage
Maximum Positive Gate Source Voltage
Minimum Gate Resistance
Maximum Gate Resistance
Typical Gate Threshold Voltage
Typical Diode Forward Voltage
Maximum Diode Forward Voltage
Typical Reverse Recovery Time
Maximum Pulsed Drain Current @ TC=25°C
Maximum Forward Transconductance
Minimum Forward Transconductance
Minimum IDSS
ID For GFS
VDS For GFS
Maximum Input Capacitance @ Vds
Typical IDSS
Maximum Storage Temperature
Operating Junction Temperature
Maximum Gate Source Leakage Current
Minimum Storage Temperature
Typical Gate to Drain Charge
Typical Gate to Source Charge
Maximum Junction Ambient Thermal Resistance
Maximum Junction Case Thermal Resistance
Typical Fall Time
Typical Rise Time
Typical Turn-Off Delay Time
Supplier Temperature Grade
Typical Turn-On Delay Time
Configuration
Maximum Absolute Continuous Drain Current
카테고리
Channel Mode
Channel Type
Number of Elements per Chip
Process Technology
Maximum Drain Source Voltage
Maximum Gate Source Voltage
Maximum Continuous Drain Current
Material
Maximum Gate Threshold Voltage
Maximum Drain Source Resistance
Maximum IDSS
Typical Gate Charge @ Vgs
Typical Gate Charge @ 10V
Typical Input Capacitance @ Vds
Maximum Power Dissipation
Minimum Operating Temperature
Maximum Operating Temperature
Typical Output Capacitance
참조 설계
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