설명: | Trans GP BJT 0.1A 6250mW |
원산지: | United States of America |
출시일: | Aug 7, 2014 |
업데이트됨:+90 일 | |
온라인 버전:https://www.datasheets.com/ko/part-details/d40n4-new-jersey-semiconductor-61459056
개요
컴포넌트의 기본 일반 정보, 특성 및 특징에 익숙해지세요. 또한 해당 컴포넌트가 산업 기준과 규정을 준수하는지 확인하세요.
수명 주기프리미엄
EU RoHS Unknown
RoHS 버전2002/95/EC
카테고리 경로
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > Bipolar Transistors > GP BJT
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > Bipolar Transistors > GP BJT
데이터시트
데이터시트를 다운로드하여 전자 부품에 대해 포괄적인 이해를 갖게 됩니다. 이 PDF 문서에는 제품 개요, 특징, 사양, 등급, 다이어그램, 응용 프로그램 등 모든 필요한 세부 정보가 포함되어 있습니다.
데이터시트 미리보기
(Latest 버전)제조
제조 정보는 컴포넌트의 제조 및 조립을 위한 기술적 요구 사항과 사양을 명시합니다. 이 정보는 제조업체가 컴포넌트의 품질과 신뢰성을 유지하고 다른 장치 및 구성 요소와 호환되도록 보장하는 데 중요합니다.
파라미터
파라미터 정보는 컴포넌트의 중요한 특징과 성능 지표를 표시합니다. 이는 엔지니어 및 공급망 관리자들이 자신들의 애플리케이션과 요구 사항에 가장 적합한 전자 부품을 비교하고 선택하는 데 도움을 줍니다.
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제품 계열
Maximum Offset Voltage
Collector Current for VCE Saturation
Minimum Transition Frequency
Typical Transition Frequency
Maximum Pulsed Collector Current
Process Technology
Maximum Diode Forward Voltage
Supplier Temperature Grade
Minimum Storage Temperature
Maximum Collector Cut-Off Current
Maximum Emitter Cut-Off Current
Maximum Junction Ambient Thermal Resistance
Maximum Junction Case Thermal Resistance
Typical Input Capacitance
Typical Output Capacitance
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
Output Power
Maximum Storage Temperature
Maximum Base Current
Operating Junction Temperature
Maximum Turn-On Time
Maximum Storage Time
Maximum Fall Time
Maximum Turn-Off Time
Maximum Noise Figure
Maximum Delay Time
Maximum Rise Time
유형
Configuration
Number of Elements per Chip
Maximum Collector Base Voltage
Maximum Emitter Base Voltage
Maximum Collector-Emitter Voltage
Maximum DC Collector Current
Maximum Power Dissipation
Material
Minimum DC Current Gain
Maximum Transition Frequency
카테고리
Minimum Operating Temperature
Maximum Operating Temperature