BDW84C

설명:

PNP SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS

원산지:

China

업데이트됨:+90 일

개요

컴포넌트의 기본 일반 정보, 특성 및 특징에 익숙해지세요. 또한 해당 컴포넌트가 산업 기준과 규정을 준수하는지 확인하세요.

수명 주기프리미엄
EU RoHS Yes
RoHS 버전2011/65/EU
카테고리 경로
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > Bipolar Transistors > Darlington BJT

데이터시트

데이터시트를 다운로드하여 전자 부품에 대해 포괄적인 이해를 갖게 됩니다. 이 PDF 문서에는 제품 개요, 특징, 사양, 등급, 다이어그램, 응용 프로그램 등 모든 필요한 세부 정보가 포함되어 있습니다.

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파라미터

파라미터 정보는 컴포넌트의 중요한 특징과 성능 지표를 표시합니다. 이는 엔지니어 및 공급망 관리자들이 자신들의 애플리케이션과 요구 사항에 가장 적합한 전자 부품을 비교하고 선택하는 데 도움을 줍니다.

제품 계열
Minimum Storage Temperature
Output Clamp Diode
Maximum Clamp Diode Leakage Current
Maximum Clamp Diode Forward Voltage
Maximum Collector-Emitter Cut-Off Current
Maximum Input Current
Maximum Storage Temperature
Maximum Base Current
Operating Junction Temperature
Supplier Temperature Grade
Typical Current Gain Bandwidth
Maximum Collector Cut-Off Current
Maximum DC Current Gain
Typical Transition Frequency
Process Technology
Minimum DC Current Gain Range
Collector Current for VCE Saturation
Minimum Transition Frequency
Maximum Transition Frequency
Maximum Pulsed Collector Current
Maximum Diode Forward Voltage
유형
Configuration
Number of Elements per Chip
Maximum Collector-Emitter Voltage
Maximum Collector Base Voltage
Maximum Emitter Base Voltage
Maximum Continuous DC Collector Current
Maximum Power Dissipation
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage
Minimum DC Current Gain
Minimum Operating Temperature
Maximum Operating Temperature

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