MX30LF4GE8AB-TI
Macronix International Co., Ltd.説明: | 1G/2G/4G-bit NAND Flash Memory |
原産国: | Taiwan (Province of China) |
導入日: | Jun 25, 2014 |
更新済み:15-NOV-2024 | |
オンライン版:https://www.datasheets.com/ja/part-details/mx30lf4ge8ab-ti-macronix-international-co---ltd--62403567
概要
コンポーネントの基本的な一般情報、特性、および特徴について理解してください。また、業界の基準や規制に適合しているかどうかも確認してください。
ライフサイクルプレミアム
EU RoHS Yes
RoHSバージョン2011/65/EU, 2015/863
カテゴリーパス
Semiconductor > Memory > Memory Chips > Flash
Semiconductor > Memory > Memory Chips > Flash
データシート
データシートをダウンロードすることで、電子部品の包括的な理解を得ることができます。このPDFドキュメントには、製品の概要、特徴、仕様、評価、ダイアグラム、応用例など、必要なすべての詳細が含まれています。
データシートのプレビュー
(Latest バージョン)製造
製造情報には、部品の製造および組み立てのための技術要件と仕様が明記されています。この情報は、製造業者が部品の品質と信頼性を維持し、他のデバイスや部品との互換性を確保するために重要です。
パラメーター
パラメトリック情報には、部品の重要な特徴や性能指標が表示されます。これにより、エンジニアやサプライチェーンマネージャーは、自身のアプリケーションやニーズに最も適した電子部品を比較・選択することができます。
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生産ライン
Programmability
MMC Version
Simultaneous Read/Write Support
Erase Suspend/Resume Modes Support
ECC Support
OE Access Time
Page Read Current
Program Current
Page Size
Supplier Temperature Grade
Minimum Storage Temperature
Minimum Endurance
Maximum Storage Temperature
I/O Mode
Maximum Cycle Time
Process Technology
Tradename
Sector Size
Density in Bits
Command Compatible
Bank Size
Number of Banks
Support of Page Mode
Maximum Page Access Time
Support of Common Flash Interface
Density
Cell Type
Interface Type
Timing Type
Number of Words
Number of Bits per Word
Maximum Operating Frequency
Maximum Access Time
Maximum Erase Time
Maximum Programming Time
Typical Operating Supply Voltage
Minimum Operating Supply Voltage
Maximum Operating Supply Voltage
Architecture
Programming Voltage
Boot Block
Location of Boot Block
Maximum Operating Current
Block Organization
Address Width
Minimum Operating Temperature
Maximum Operating Temperature