Datasheets
MT53E512M64D2NZ-046 WT:B

MT53E512M64D2NZ-046 WT:B

Micron Technology

説明:

DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 32Gbit 512Mx64 1.1V/1.8V 376-Pin WFBGA

更新済み:09-DEC-2024

もっと見る DRAM Chip 著者 Micron Technology
部品仕様

概要

コンポーネントの基本的な一般情報、特性、および特徴について理解してください。また、業界の基準や規制に適合しているかどうかも確認してください。

ライフサイクルプレミアム
EU RoHS Yes
RoHSバージョン2011/65/EU
EAR99
自動車 No
供給者CAGEコード6Y440
8542320036
スケジュールB8542320023
PPAP No
AEC認定 No
カテゴリーパス
Semiconductor > Memory > Memory Chips > DRAM Chip

製造

製造情報には、部品の製造および組み立てのための技術要件と仕様が明記されています。この情報は、製造業者が部品の品質と信頼性を維持し、他のデバイスや部品との互換性を確保するために重要です。

Reflow Temp. Source

パラメーター

パラメトリック情報には、部品の重要な特徴や性能指標が表示されます。これにより、エンジニアやサプライチェーンマネージャーは、自身のアプリケーションやニーズに最も適した電子部品を比較・選択することができます。

生産ライン
Maximum Refresh Cycle Time
Process Technology
Supplier Temperature Grade
Number of I/O Lines
Operating Supply Voltage
Number of Bits per Word
Minimum Storage Temperature
Maximum Storage Temperature
Refresh Cycles
Density
タイプ
Interface Type
Organization
Maximum Clock Rate
Maximum Access Time
Number of Internal Banks
Number of Words per Bank
Typical Operating Supply Voltage
Minimum Operating Supply Voltage
Maximum Operating Supply Voltage
Minimum Operating Temperature
Maximum Operating Temperature
Data Bus Width
Address Bus Width
Maximum Operating Current
Density in Bits

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