MMBT2222A_Q
onsemi説明: | Trans GP BJT NPN 40V 1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
導入日: | Sep 1, 1998 |
更新済み:17-NOV-2024 | |
もっと見る GP BJT 著者 onsemi | |
オンライン版:https://www.datasheets.com/ja/part-details/mmbt2222a-q-onsemi-30169851
概要
コンポーネントの基本的な一般情報、特性、および特徴について理解してください。また、業界の基準や規制に適合しているかどうかも確認してください。
ライフサイクルプレミアム
EU RoHS No
RoHSバージョン2011/65/EU, 2015/863
EAR99
自動車 No
供給者CAGEコード1MQ07
スケジュールB8541210080
PPAP No
AEC認定 No
カテゴリーパス
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > Bipolar Transistors > GP BJT
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > Bipolar Transistors > GP BJT
データシート
データシートをダウンロードすることで、電子部品の包括的な理解を得ることができます。このPDFドキュメントには、製品の概要、特徴、仕様、評価、ダイアグラム、応用例など、必要なすべての詳細が含まれています。
データシートのプレビュー
(Latest バージョン)製造
製造情報には、部品の製造および組み立てのための技術要件と仕様が明記されています。この情報は、製造業者が部品の品質と信頼性を維持し、他のデバイスや部品との互換性を確保するために重要です。
パラメーター
パラメトリック情報には、部品の重要な特徴や性能指標が表示されます。これにより、エンジニアやサプライチェーンマネージャーは、自身のアプリケーションやニーズに最も適した電子部品を比較・選択することができます。
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生産ライン
Maximum Offset Voltage
Collector Current for VCE Saturation
Minimum Transition Frequency
Typical Transition Frequency
Maximum Pulsed Collector Current
Process Technology
Maximum Diode Forward Voltage
Supplier Temperature Grade
Minimum Storage Temperature
Maximum Collector Cut-Off Current
Maximum Emitter Cut-Off Current
Maximum Junction Ambient Thermal Resistance
Maximum Junction Case Thermal Resistance
Typical Input Capacitance
Typical Output Capacitance
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
Output Power
Maximum Storage Temperature
Maximum Base Current
Operating Junction Temperature
Maximum Turn-On Time
Maximum Storage Time
Maximum Fall Time
Maximum Turn-Off Time
Maximum Noise Figure
Maximum Delay Time
Maximum Rise Time
タイプ
Configuration
Number of Elements per Chip
Maximum Collector Base Voltage
Maximum Emitter Base Voltage
Maximum Collector-Emitter Voltage
Maximum DC Collector Current
Maximum Power Dissipation
Material
Minimum DC Current Gain
Maximum Transition Frequency
カテゴリー
Minimum Operating Temperature
Maximum Operating Temperature