K4T51163QQ-BCE6
Samsung Electronics説明: | DRAM Chip DDR2 SDRAM 512Mbit 32Mx16 1.8V 84-Pin FBGA |
導入日: | Feb 25, 2014 |
更新済み:+90 日 | |
オンライン版:https://www.datasheets.com/ja/part-details/k4t51163qq-bce6-samsung-electronics-61096345
概要
コンポーネントの基本的な一般情報、特性、および特徴について理解してください。また、業界の基準や規制に適合しているかどうかも確認してください。
ライフサイクルプレミアム
EU RoHS Yes
RoHSバージョン2011/65/EU, 2015/863
カテゴリーパス
Semiconductor > Memory > Memory Chips > DRAM Chip
Semiconductor > Memory > Memory Chips > DRAM Chip
データシート
データシートをダウンロードすることで、電子部品の包括的な理解を得ることができます。このPDFドキュメントには、製品の概要、特徴、仕様、評価、ダイアグラム、応用例など、必要なすべての詳細が含まれています。