HD1F3P-T1-AZ
Renesas Electronics説明: | Trans Digital BJT NPN 60V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) Power Mini-Mold |
導入日: | Mar 3, 2011 |
更新済み:15-NOV-2024 | |
オンライン版:https://www.datasheets.com/ja/part-details/hd1f3p-t1-az-renesas-electronics-406692360
概要
コンポーネントの基本的な一般情報、特性、および特徴について理解してください。また、業界の基準や規制に適合しているかどうかも確認してください。
ライフサイクルプレミアム
EU RoHSYes with Exemption
RoHSバージョン2011/65/EU, 2015/863
カテゴリーパス
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > Bipolar Transistors > Digital BJT - Pre-Biased
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > Bipolar Transistors > Digital BJT - Pre-Biased
データシート
データシートをダウンロードすることで、電子部品の包括的な理解を得ることができます。このPDFドキュメントには、製品の概要、特徴、仕様、評価、ダイアグラム、応用例など、必要なすべての詳細が含まれています。
データシートのプレビュー
(Latest バージョン)パラメーター
パラメトリック情報には、部品の重要な特徴や性能指標が表示されます。これにより、エンジニアやサプライチェーンマネージャーは、自身のアプリケーションやニーズに最も適した電子部品を比較・選択することができます。
制限された情報を閲覧するにはログインする必要があります。
生産ライン
Process Technology
Supplier Temperature Grade
Minimum DC Current Gain Range
Collector Current for VCE Saturation
Maximum Transition Frequency
Minimum Transition Frequency
Number of Elements per Chip
Minimum Storage Temperature
Maximum Storage Temperature
Maximum Base Current
Typical Base Emitter Resistor
Typical Current Gain Bandwidth
Operating Junction Temperature
タイプ
Configuration
Maximum Collector-Emitter Voltage
Maximum Continuous DC Collector Current
Maximum Power Dissipation
Typical Input Resistor
Typical Resistor Ratio
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage
Minimum DC Current Gain
Minimum Operating Temperature
Maximum Operating Temperature