CM200DU-12NFH
Mitsubishi Electric説明: | Trans IGBT Module N-CH 600V 200A 830W 7-Pin |
原産国: | Japan |
導入日: | Feb 20, 2004 |
更新済み:15-NOV-2024 | |
オンライン版:https://www.datasheets.com/ja/part-details/cm200du-12nfh-mitsubishi-electric-16497491
概要
コンポーネントの基本的な一般情報、特性、および特徴について理解してください。また、業界の基準や規制に適合しているかどうかも確認してください。
ライフサイクルプレミアム
EU RoHS Unknown
RoHSバージョン2002/95/EC
カテゴリーパス
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > IGBT Transistors > IGBT Modules
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > IGBT Transistors > IGBT Modules
データシート
データシートをダウンロードすることで、電子部品の包括的な理解を得ることができます。このPDFドキュメントには、製品の概要、特徴、仕様、評価、ダイアグラム、応用例など、必要なすべての詳細が含まれています。
データシートのプレビュー
(Latest バージョン)製造
製造情報には、部品の製造および組み立てのための技術要件と仕様が明記されています。この情報は、製造業者が部品の品質と信頼性を維持し、他のデバイスや部品との互換性を確保するために重要です。
パラメーター
パラメトリック情報には、部品の重要な特徴や性能指標が表示されます。これにより、エンジニアやサプライチェーンマネージャーは、自身のアプリケーションやニーズに最も適した電子部品を比較・選択することができます。
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生産ライン
Maximum Junction Temperature
Process Technology
Minimum Storage Temperature
Supplier Temperature Grade
Maximum Storage Temperature
Typical Collector Emitter Saturation Voltage
Maximum Gate Emitter Leakage Current
Tradename
Technology
Channel Type
Configuration
Maximum Collector-Emitter Voltage
Maximum Gate Emitter Voltage
Maximum Continuous Collector Current
Maximum Power Dissipation
Minimum Operating Temperature
Maximum Operating Temperature