説明: | SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS |
原産国: | China |
導入日: | Nov 29, 2013 |
更新済み:+90 日 | |
オンライン版:https://www.datasheets.com/ja/part-details/bd652-comset-semiconductors-61043701
概要
コンポーネントの基本的な一般情報、特性、および特徴について理解してください。また、業界の基準や規制に適合しているかどうかも確認してください。
ライフサイクルプレミアム
EU RoHS Yes
RoHSバージョン2011/65/EU
自動車 Unknown
供給者CAGEコードB1564
AEC認定 Unknown
カテゴリーパス
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > Bipolar Transistors > Darlington BJT
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > Bipolar Transistors > Darlington BJT
データシート
データシートをダウンロードすることで、電子部品の包括的な理解を得ることができます。このPDFドキュメントには、製品の概要、特徴、仕様、評価、ダイアグラム、応用例など、必要なすべての詳細が含まれています。
データシートのプレビュー
(Latest バージョン)パラメーター
パラメトリック情報には、部品の重要な特徴や性能指標が表示されます。これにより、エンジニアやサプライチェーンマネージャーは、自身のアプリケーションやニーズに最も適した電子部品を比較・選択することができます。
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生産ライン
Minimum Storage Temperature
Output Clamp Diode
Maximum Clamp Diode Leakage Current
Maximum Clamp Diode Forward Voltage
Maximum Collector-Emitter Cut-Off Current
Maximum Input Current
Maximum Storage Temperature
Maximum Base Current
Operating Junction Temperature
Supplier Temperature Grade
Typical Current Gain Bandwidth
Maximum Collector Cut-Off Current
Maximum DC Current Gain
Typical Transition Frequency
Process Technology
Minimum DC Current Gain Range
Collector Current for VCE Saturation
Minimum Transition Frequency
Maximum Transition Frequency
Maximum Pulsed Collector Current
Maximum Diode Forward Voltage
タイプ
Configuration
Number of Elements per Chip
Maximum Collector-Emitter Voltage
Maximum Collector Base Voltage
Maximum Emitter Base Voltage
Maximum Continuous DC Collector Current
Maximum Power Dissipation
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage
Minimum DC Current Gain
Minimum Operating Temperature
Maximum Operating Temperature