2N5401

説明:	PNP Epitaxial Planar Silicon High Voltage Transistor
原産国:	India
導入日:	Apr 16, 2001
更新済み: +90 日
もっと見る GP BJT 著者 Continental Device India Limited

コンポーネントの基本的な一般情報、特性、および特徴について理解してください。また、業界の基準や規制に適合しているかどうかも確認してください。

ライフサイクルプレミアム

EU RoHS 未知

RoHSバージョン2002/95/EC

カテゴリーパス
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > Bipolar Transistors > GP BJT

データシートをダウンロードすることで、電子部品の包括的な理解を得ることができます。このPDFドキュメントには、製品の概要、特徴、仕様、評価、ダイアグラム、応用例など、必要なすべての詳細が含まれています。

(Latest バージョン)

参考設計

参考設計のコレクションでインスピレーションとガイダンスを引き出してください。電子部品の能力を示す実用的な実装を探索してください。詳細なドキュメンテーションと回路図で開発プロセスを加速し、効率的なソリューションを作成してください。

さらに無料のデータに興味がありますか？

他のメーカーからフォーム、フィット、機能が同等の製品や適切なアップグレードやダウングレードなどを発見できます。

クレジットカード不要。コミットメント不要。