2N5306

2N5306

onsemi

説明:

Trans Darlington NPN 25V 1.2A 625mW 3-Pin TO-92 Bulk

導入日:

Sep 28, 1997

更新済み:+90 日

概要

コンポーネントの基本的な一般情報、特性、および特徴について理解してください。また、業界の基準や規制に適合しているかどうかも確認してください。

ライフサイクルプレミアム
EU RoHS Yes
RoHSバージョン2002/95/EC
カテゴリーパス
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > Bipolar Transistors > Darlington BJT

データシート

データシートをダウンロードすることで、電子部品の包括的な理解を得ることができます。このPDFドキュメントには、製品の概要、特徴、仕様、評価、ダイアグラム、応用例など、必要なすべての詳細が含まれています。

データシートのプレビュー

(Latest バージョン)

製造

製造情報には、部品の製造および組み立てのための技術要件と仕様が明記されています。この情報は、製造業者が部品の品質と信頼性を維持し、他のデバイスや部品との互換性を確保するために重要です。

Wave Temp. Source

パラメーター

パラメトリック情報には、部品の重要な特徴や性能指標が表示されます。これにより、エンジニアやサプライチェーンマネージャーは、自身のアプリケーションやニーズに最も適した電子部品を比較・選択することができます。

生産ライン
Minimum Storage Temperature
Output Clamp Diode
Maximum Clamp Diode Leakage Current
Maximum Clamp Diode Forward Voltage
Maximum Collector-Emitter Cut-Off Current
Maximum Input Current
Maximum Storage Temperature
Maximum Base Current
Operating Junction Temperature
Supplier Temperature Grade
Typical Current Gain Bandwidth
Maximum Collector Cut-Off Current
Maximum DC Current Gain
Typical Transition Frequency
Process Technology
Minimum DC Current Gain Range
Collector Current for VCE Saturation
Minimum Transition Frequency
Maximum Transition Frequency
Maximum Pulsed Collector Current
Maximum Diode Forward Voltage
タイプ
Configuration
Number of Elements per Chip
Maximum Collector-Emitter Voltage
Maximum Collector Base Voltage
Maximum Emitter Base Voltage
Maximum Continuous DC Collector Current
Maximum Power Dissipation
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage
Minimum DC Current Gain
Minimum Operating Temperature
Maximum Operating Temperature

参考設計

参考設計のコレクションでインスピレーションとガイダンスを引き出してください。電子部品の能力を示す実用的な実装を探索してください。詳細なドキュメンテーションと回路図で開発プロセスを加速し、効率的なソリューションを作成してください。

CAD モデル

コンポーネントの3D CADモデル、シンボル、およびフットプリントにアクセスしてください。その構造と寸法を視覚化し、デザインを統合し、パフォーマンスを効果的に最適化してください。

クロスリファレンス

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