NT5SV16M16CS-6K
Nanya Technology| Descrizione: | PROGRAMMABLE BURST LENGTH: 1, 2, 4, 8 ,256MB SYNCHRONOUS DRAM |
| Paese di origine: | Taiwan (Province of China) |
| Data di introduzione: | Dec 20, 2011 |
Aggiornato: +90 giorni | |
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Versione online:https://www.datasheets.com/it/part-details/nt5sv16m16cs-6k-nanya-technology-52413647
Panoramica
Familiarizzati con le informazioni generali fondamentali, le proprietà e le caratteristiche del componente, insieme al suo rispetto degli standard e delle normative del settore.
Ciclo di vitaPremium
EU RoHS Oui
Versione RoHS2011/65/EU, 2015/863
Percorso categoria
Semiconductor > Memory > Memory Chips > DRAM Chip
Semiconductor > Memory > Memory Chips > DRAM Chip
Scheda tecnica
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