K4UBE3D4AB-MGCL

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Samsung Electronics

Descrizione:

DRAM Chip Mobile LPDDR4X SDRAM 256Gbit 8Gx32 1.1V/1.8V 200-Pin FBGA

Data di introduzione:

Apr 24, 2023

Aggiornato:30-OCT-2024

Panoramica

Familiarizzati con le informazioni generali fondamentali, le proprietà e le caratteristiche del componente, insieme al suo rispetto degli standard e delle normative del settore.

Ciclo di vitaPremium
EU RoHS Yes
Versione RoHS2011/65/EU, 2015/863
Percorso categoria
Semiconductor > Memory > Memory Chips > DRAM Chip

Scheda tecnica

Ottieni una comprensione approfondita del componente elettronico scaricando il suo datasheet. Questo documento PDF include tutti i dettagli necessari, come una panoramica del prodotto, le caratteristiche, le specifiche, le valutazioni, i diagrammi, le applicazioni e altro ancora.

Anteprima scheda tecnica

(Latest Versione)

Parametrico

Le informazioni parametriche visualizzano le caratteristiche fondamentali e le metriche di prestazione del componente, il che aiuta gli ingegneri e i responsabili della catena di approvvigionamento a confrontare e scegliere il componente elettronico più appropriato per le loro applicazioni e necessità.

linea di prodotto
Maximum Refresh Cycle Time
Process Technology
Supplier Temperature Grade
Number of I/O Lines
Operating Supply Voltage
Number of Bits per Word
Minimum Storage Temperature
Maximum Storage Temperature
Refresh Cycles
Density
Tipo
Interface Type
Organization
Maximum Clock Rate
Maximum Access Time
Number of Internal Banks
Number of Words per Bank
Typical Operating Supply Voltage
Minimum Operating Supply Voltage
Maximum Operating Supply Voltage
Minimum Operating Temperature
Maximum Operating Temperature
Data Bus Width
Address Bus Width
Maximum Operating Current
Density in Bits

Corrispondenze

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