K4B1G1646G-BYH9
Samsung ElectronicsDescrizione: | DRAM Chip DDR3 SDRAM 1Gbit 128Mx16 1.35V 96-Pin FBGA |
Data di introduzione: | Apr 21, 2016 |
Aggiornato:+90 giorni | |
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Versione online:https://www.datasheets.com/it/part-details/k4b1g1646g-byh9-samsung-electronics-414099148
Panoramica
Familiarizzati con le informazioni generali fondamentali, le proprietà e le caratteristiche del componente, insieme al suo rispetto degli standard e delle normative del settore.
Ciclo di vitaPremium
EAR99
Automotive No
Codice CAGE Fornitore1542F
8542320032
SCHEDULE B8542320015
PPAP No
Qualificato AEC No
Percorso categoria
Semiconductor > Memory > Memory Chips > DRAM Chip
Semiconductor > Memory > Memory Chips > DRAM Chip
Scheda tecnica
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