IXZ210N50L

IXZ210N50L

Littelfuse

Descrizione:

Trans RF MOSFET N-CH 500V 10A 6-Pin

Data di introduzione:

Apr 25, 2007

Aggiornato:+90 giorni

Panoramica

Familiarizzati con le informazioni generali fondamentali, le proprietà e le caratteristiche del componente, insieme al suo rispetto degli standard e delle normative del settore.

Ciclo di vitaPremium
EU RoHS Yes
Versione RoHS2011/65/EU, 2015/863
Percorso categoria
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > FET Transistors > RF FETs

Scheda tecnica

Ottieni una comprensione approfondita del componente elettronico scaricando il suo datasheet. Questo documento PDF include tutti i dettagli necessari, come una panoramica del prodotto, le caratteristiche, le specifiche, le valutazioni, i diagrammi, le applicazioni e altro ancora.

Anteprima scheda tecnica

(Latest Versione)

Produzione

Le informazioni di produzione specificano i requisiti tecnici e le specifiche per la produzione e l'assemblaggio del componente. Queste informazioni sono cruciali per i produttori per mantenere la qualità e l'affidabilità dei componenti, e garantire che siano compatibili con altri dispositivi e componenti.

Reflow Temp. Source
Wave Temp. Source

Parametrico

Le informazioni parametriche visualizzano le caratteristiche fondamentali e le metriche di prestazione del componente, il che aiuta gli ingegneri e i responsabili della catena di approvvigionamento a confrontare e scegliere il componente elettronico più appropriato per le loro applicazioni e necessità.

linea di prodotto
Supplier Temperature Grade
Maximum Forward Transconductance
Minimum Forward Transconductance
Minimum IDSS
ID For GFS
VDS For GFS
Maximum Input Capacitance @ Vds
Typical IDSS
Typical Gate Threshold Voltage
Breakdown Voltage Type
Minimum Gate Threshold Voltage
Tipo
Typical Power 1dB Compression
Material
Typical Forward Transconductance
Typical Output Capacitance @ Vds
Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds
Types of Output Stages
Typical Power Gain @ Vds
Maximum VSWR
Typical Gate Charge @ Vgs
Typical Fall Time
Typical Rise Time
Typical Turn-Off Delay Time
Process Technology
Maximum Gate Source Leakage Current
Maximum Gate Threshold Voltage
Maximum Duty Cycle
Typical Turn-On Delay Time
Minimum Storage Temperature
Maximum Storage Temperature
Typical Gate Charge @ 10V
Typical Drain Efficiency
Maximum Noise Figure
Maximum Gate Source Voltage
Maximum Drain Source Resistance
Channel Type
Configuration
Channel Mode
Number of Elements per Chip
Maximum Drain Source Voltage
Maximum Continuous Drain Current
Minimum Frequency
Maximum Frequency
Maximum Power Dissipation
Mode of Operation
Typical Power Gain
Output Power
Maximum IDSS
Typical Input Capacitance @ Vds
Minimum Operating Temperature
Maximum Operating Temperature

Corrispondenze

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