IXYP15N65C3D1

IXYP15N65C3D1

Littelfuse

Descrizione:

High Performance 650V IGBT Chip

Paese di origine:

Korea (Republic of)

Data di introduzione:

Feb 12, 2015

Aggiornato:30-SEP-2024

Panoramica

Familiarizzati con le informazioni generali fondamentali, le proprietà e le caratteristiche del componente, insieme al suo rispetto degli standard e delle normative del settore.

Ciclo di vitaPremium
EU RoHS Yes
Versione RoHS2011/65/EU, 2015/863
Percorso categoria
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > IGBT Transistors > IGBT Chip

Scheda tecnica

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