FP10R12W1T7P_B3
Infineon Technologies AGDescrizione: | Trans IGBT Module N-CH 1200V 10A 23-Pin |
Data di introduzione: | Dec 6, 2018 |
Aggiornato:08-DEC-2024 | |
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Versione online:https://www.datasheets.com/it/part-details/fp10r12w1t7p-b3-infineon-technologies-ag-410069733
Panoramica
Familiarizzati con le informazioni generali fondamentali, le proprietà e le caratteristiche del componente, insieme al suo rispetto degli standard e delle normative del settore.
Ciclo di vitaPremium
EU RoHSYes with Exemption
Versione RoHS2011/65/EU, 2015/863
EAR99
Automotive No
Codice CAGE FornitoreC6489
8541290095
SCHEDULE B8541290080
PPAP No
Qualificato AEC No
Percorso categoria
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > IGBT Transistors > IGBT Modules
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > IGBT Transistors > IGBT Modules
Scheda tecnica
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