D3SO512M646GL-D28NI
Memphis Electronic GmbHDescrizione: | 4GB DDR3 UNBUFFERED SO-DIMM |
Data di introduzione: | Apr 2, 2015 |
Aggiornato:+90 giorni | |
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Versione online:https://www.datasheets.com/it/part-details/d3so512m646gl-d28ni-memphis-electronic-gmbh-67443227
Panoramica
Familiarizzati con le informazioni generali fondamentali, le proprietà e le caratteristiche del componente, insieme al suo rispetto degli standard e delle normative del settore.
Ciclo di vitaPremium
EU RoHS Yes
Versione RoHS2011/65/EU, 2015/863
EAR99
Automotive Unknown
Codice CAGE FornitoreCN8J2
Qualificato AEC Unknown
Percorso categoria
Semiconductor > Memory > Memory Chips > DRAM Chip
Semiconductor > Memory > Memory Chips > DRAM Chip
Scheda tecnica
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