MTA4ATF51264HZ-3G2R1
Micron TechnologyDeskripsi: | DRAM Module DDR4 SDRAM 4Gbyte 260SODIMM Tray |
Negara asal: | China |
Tanggal Perkenalan: | Dec 28, 2015 |
Diperbarui:09-OCT-2024 | |
Lihat lebih banyak Memory Modules oleh Micron Technology | |
Versi online:https://www.datasheets.com/id/part-details/mta4atf51264hz-3g2r1-micron-technology-422233871
Ikhtisar
Kenali informasi umum, properti, dan karakteristik dasar komponen, beserta kepatuhannya terhadap standar dan regulasi industri.
Siklus hidupPremium
EU RoHSYes with Exemption
Versi RoHS2011/65/EU, 2015/863
Jalur Kategori
Semiconductor > Memory > Memory Cards and Modules > Memory Modules
Semiconductor > Memory > Memory Cards and Modules > Memory Modules
Lembar Data
Dapatkan pemahaman menyeluruh tentang komponen elektronik dengan mengunduh datasheet-nya. Dokumen PDF ini mencakup semua detail yang diperlukan, seperti gambaran produk, fitur, spesifikasi, peringkat, diagram, aplikasi, dan lain-lain.
Pratinjau Lembar Data
(Latest Versi)Parametrik
Informasi parametrik menampilkan fitur penting dan metrik kinerja komponen, yang membantu insinyur dan manajer rantai pasokan untuk membandingkan dan memilih komponen elektronik yang paling sesuai untuk aplikasi dan kebutuhan mereka.
Anda harus login untuk melihat informasi terbatas.
lini produk
Warranty
Process Technology
Maximum Refresh Cycle Time
Minimum Storage Temperature
Module Sides
PLL
Number of Module Banks
SPD EEPROM Support
Number of Chip Banks
PC Type
Maximum Storage Temperature
Refresh Cycles
Self Refresh
Total Density in Bits
Supplier Temperature Grade
Main Category
Total Density
Subcategory
Maximum Clock Rate
Maximum Access Time
Organization
Number of Chip per Module
Chip Density
Module Type
Data Bus Width
Chip Configuration
ECC Support
Number of Ranks
Chip Package Type
Typical Operating Supply Voltage
Minimum Operating Supply Voltage
Maximum Operating Supply Voltage
Maximum Operating Current
CAS Latency
Minimum Operating Temperature
Maximum Operating Temperature