K4B2G1646Q-BIK0
Samsung ElectronicsDeskripsi: | DRAM Chip DDR3 SDRAM 2Gbit 128Mx16 1.5V 96-Pin FBGA |
Tanggal Perkenalan: | Mar 28, 2014 |
Diperbarui:+90 hari | |
Lihat lebih banyak DRAM Chip oleh Samsung Electronics | |
Versi online:https://www.datasheets.com/id/part-details/k4b2g1646q-bik0-samsung-electronics-55385597
Ikhtisar
Kenali informasi umum, properti, dan karakteristik dasar komponen, beserta kepatuhannya terhadap standar dan regulasi industri.
Siklus hidupPremium
EU RoHS Yes
Versi RoHS2011/65/EU, 2015/863
EAR99
Otomotif No
Kode Kandang Pemasok1542F
8542320036
Jadwal B8542320023
PPAP No
Kualifikasi AEC No
Jalur Kategori
Semiconductor > Memory > Memory Chips > DRAM Chip
Semiconductor > Memory > Memory Chips > DRAM Chip
Lembar Data
Dapatkan pemahaman menyeluruh tentang komponen elektronik dengan mengunduh datasheet-nya. Dokumen PDF ini mencakup semua detail yang diperlukan, seperti gambaran produk, fitur, spesifikasi, peringkat, diagram, aplikasi, dan lain-lain.
Pratinjau Lembar Data
(Latest Versi)Parametrik
Informasi parametrik menampilkan fitur penting dan metrik kinerja komponen, yang membantu insinyur dan manajer rantai pasokan untuk membandingkan dan memilih komponen elektronik yang paling sesuai untuk aplikasi dan kebutuhan mereka.
Anda harus login untuk melihat informasi terbatas.
lini produk
Maximum Refresh Cycle Time
Process Technology
Supplier Temperature Grade
Number of I/O Lines
Operating Supply Voltage
Number of Bits per Word
Minimum Storage Temperature
Maximum Storage Temperature
Refresh Cycles
Density
Tipe
Interface Type
Organization
Maximum Clock Rate
Maximum Access Time
Number of Internal Banks
Number of Words per Bank
Typical Operating Supply Voltage
Minimum Operating Supply Voltage
Maximum Operating Supply Voltage
Minimum Operating Temperature
Maximum Operating Temperature
Data Bus Width
Address Bus Width
Maximum Operating Current
Density in Bits
