IKW50N60DTPXKSA1
Infineon Technologies AGDeskripsi: | Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 319.2W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Negara asal: | China |
Tanggal Perkenalan: | Apr 18, 2016 |
Diperbarui:13-DEC-2024 | |
Lihat lebih banyak IGBT Chip oleh Infineon Technologies AG | |
Versi online:https://www.datasheets.com/id/part-details/ikw50n60dtpxksa1-infineon-technologies-ag-74909592
Ikhtisar
Kenali informasi umum, properti, dan karakteristik dasar komponen, beserta kepatuhannya terhadap standar dan regulasi industri.
Siklus hidupPremium
EU RoHS Yes
Versi RoHS2011/65/EU, 2015/863
EAR99
Otomotif No
Kode Kandang PemasokC6489
8541290095
PPAP No
Kualifikasi AEC No
Jalur Kategori
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > IGBT Transistors > IGBT Chip
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > IGBT Transistors > IGBT Chip
Lembar Data
Dapatkan pemahaman menyeluruh tentang komponen elektronik dengan mengunduh datasheet-nya. Dokumen PDF ini mencakup semua detail yang diperlukan, seperti gambaran produk, fitur, spesifikasi, peringkat, diagram, aplikasi, dan lain-lain.
Pratinjau Lembar Data
(Latest Versi)Parametrik
Informasi parametrik menampilkan fitur penting dan metrik kinerja komponen, yang membantu insinyur dan manajer rantai pasokan untuk membandingkan dan memilih komponen elektronik yang paling sesuai untuk aplikasi dan kebutuhan mereka.
Anda harus login untuk melihat informasi terbatas.
lini produk
Maximum Transition Frequency
Number of Elements per Chip
Maximum Junction Temperature
Minimum Storage Temperature
Supplier Temperature Grade
Maximum Storage Temperature
Maximum Gate Emitter Leakage Current
Tradename
Process Technology
Minimum Transition Frequency
Typical Transition Frequency
Technology
Channel Type
Configuration
Maximum Collector-Emitter Voltage
Maximum Gate Emitter Voltage
Maximum Continuous Collector Current
Maximum Power Dissipation
Typical Collector Emitter Saturation Voltage
Minimum Operating Temperature
Maximum Operating Temperature