FP50R12KT4BOSA1
Infineon Technologies AGDeskripsi: | Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 280W 23-Pin ECONO2-4 Tray |
Negara asal: | Austria |
Tanggal Perkenalan: | Nov 23, 2007 |
Diperbarui:15-NOV-2024 | |
Lihat lebih banyak IGBT Modules oleh Infineon Technologies AG | |
Versi online:https://www.datasheets.com/id/part-details/fp50r12kt4bosa1-infineon-technologies-ag-61081145
Ikhtisar
Kenali informasi umum, properti, dan karakteristik dasar komponen, beserta kepatuhannya terhadap standar dan regulasi industri.
Siklus hidupPremium
EU RoHSYes with Exemption
Versi RoHS2011/65/EU, 2015/863
Jalur Kategori
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > IGBT Transistors > IGBT Modules
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > IGBT Transistors > IGBT Modules
Lembar Data
Dapatkan pemahaman menyeluruh tentang komponen elektronik dengan mengunduh datasheet-nya. Dokumen PDF ini mencakup semua detail yang diperlukan, seperti gambaran produk, fitur, spesifikasi, peringkat, diagram, aplikasi, dan lain-lain.
Pratinjau Lembar Data
(Latest Versi)Parametrik
Informasi parametrik menampilkan fitur penting dan metrik kinerja komponen, yang membantu insinyur dan manajer rantai pasokan untuk membandingkan dan memilih komponen elektronik yang paling sesuai untuk aplikasi dan kebutuhan mereka.
Anda harus login untuk melihat informasi terbatas.
lini produk
Maximum Junction Temperature
Process Technology
Minimum Storage Temperature
Supplier Temperature Grade
Maximum Storage Temperature
Typical Collector Emitter Saturation Voltage
Maximum Gate Emitter Leakage Current
Tradename
Technology
Channel Type
Configuration
Maximum Collector-Emitter Voltage
Maximum Gate Emitter Voltage
Maximum Continuous Collector Current
Maximum Power Dissipation
Minimum Operating Temperature
Maximum Operating Temperature