BST51,115
NexperiaDeskripsi: | Trans Darlington NPN 60V 1A 1300mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
Negara asal: | China |
Tanggal Perkenalan: | Sep 1, 1994 |
Diperbarui:10-DEC-2024 | |
Lihat lebih banyak Darlington BJT oleh Nexperia | |
Versi online:https://www.datasheets.com/id/part-details/bst51-115-nexperia-81819977
Ikhtisar
Kenali informasi umum, properti, dan karakteristik dasar komponen, beserta kepatuhannya terhadap standar dan regulasi industri.
Siklus hidupPremium
EU RoHS Yes
Versi RoHS2011/65/EU, 2015/863
EAR99
Otomotif Yes
Kode Kandang PemasokH2HX9
8541210075
Jadwal B8541290080
Kualifikasi AEC Yes
Jalur Kategori
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > Bipolar Transistors > Darlington BJT
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > Bipolar Transistors > Darlington BJT
Lembar Data
Dapatkan pemahaman menyeluruh tentang komponen elektronik dengan mengunduh datasheet-nya. Dokumen PDF ini mencakup semua detail yang diperlukan, seperti gambaran produk, fitur, spesifikasi, peringkat, diagram, aplikasi, dan lain-lain.
Pratinjau Lembar Data
(Latest Versi)Parametrik
Informasi parametrik menampilkan fitur penting dan metrik kinerja komponen, yang membantu insinyur dan manajer rantai pasokan untuk membandingkan dan memilih komponen elektronik yang paling sesuai untuk aplikasi dan kebutuhan mereka.
Anda harus login untuk melihat informasi terbatas.
lini produk
Minimum Storage Temperature
Output Clamp Diode
Maximum Clamp Diode Leakage Current
Maximum Clamp Diode Forward Voltage
Maximum Collector-Emitter Cut-Off Current
Maximum Input Current
Maximum Storage Temperature
Maximum Base Current
Operating Junction Temperature
Supplier Temperature Grade
Typical Current Gain Bandwidth
Maximum Collector Cut-Off Current
Maximum DC Current Gain
Typical Transition Frequency
Process Technology
Minimum DC Current Gain Range
Collector Current for VCE Saturation
Minimum Transition Frequency
Maximum Transition Frequency
Maximum Pulsed Collector Current
Maximum Diode Forward Voltage
Tipe
Configuration
Number of Elements per Chip
Maximum Collector-Emitter Voltage
Maximum Collector Base Voltage
Maximum Emitter Base Voltage
Maximum Continuous DC Collector Current
Maximum Power Dissipation
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage
Minimum DC Current Gain
Minimum Operating Temperature
Maximum Operating Temperature