Datasheets
BF998WR

BF998WR

NXP Semiconductors

Deskripsi:

Trans RF MOSFET N-CH 12V 0.03A 4-Pin CMPAK

Negara asal:

Malaysia

Tanggal Perkenalan:

Apr 25, 1995

Diperbarui:14-DEC-2024

Lihat lebih banyak RF FETs oleh NXP Semiconductors
Model CAD
Spesifikasi Bagian

Ikhtisar

Kenali informasi umum, properti, dan karakteristik dasar komponen, beserta kepatuhannya terhadap standar dan regulasi industri.

Siklus hidupPremium
EU RoHS Yes
Versi RoHS2011/65/EU, 2015/863
EAR99
Otomotif No
Kode Kandang PemasokH2J65
8541210095
Jadwal B8541210080
PPAP No
Kualifikasi AEC No
Jalur Kategori
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > FET Transistors > RF FETs

Lembar Data

Dapatkan pemahaman menyeluruh tentang komponen elektronik dengan mengunduh datasheet-nya. Dokumen PDF ini mencakup semua detail yang diperlukan, seperti gambaran produk, fitur, spesifikasi, peringkat, diagram, aplikasi, dan lain-lain.

Lembar Data Pemasok
(Tautan Eksternal)
Unduh PDF
(Latest Versi)

Pratinjau Lembar Data

(Latest Versi)

Pembuatan

Informasi manufaktur menentukan persyaratan teknis dan spesifikasi untuk memproduksi dan merakit komponen. Informasi ini sangat penting bagi produsen untuk menjaga kualitas dan keandalan komponen, serta memastikan kompatibilitasnya dengan perangkat dan komponen lainnya.

Reflow Temp. Source
Shelf Life Period
Shelf Life Condition

Parametrik

Informasi parametrik menampilkan fitur penting dan metrik kinerja komponen, yang membantu insinyur dan manajer rantai pasokan untuk membandingkan dan memilih komponen elektronik yang paling sesuai untuk aplikasi dan kebutuhan mereka.

lini produk
Supplier Temperature Grade
Maximum Forward Transconductance
Minimum Forward Transconductance
Minimum IDSS
ID For GFS
VDS For GFS
Maximum Input Capacitance @ Vds
Typical IDSS
Typical Gate Threshold Voltage
Breakdown Voltage Type
Minimum Gate Threshold Voltage
Tipe
Typical Power 1dB Compression
Material
Typical Forward Transconductance
Typical Output Capacitance @ Vds
Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds
Types of Output Stages
Typical Power Gain @ Vds
Maximum VSWR
Typical Gate Charge @ Vgs
Typical Fall Time
Typical Rise Time
Typical Turn-Off Delay Time
Process Technology
Maximum Gate Source Leakage Current
Maximum Gate Threshold Voltage
Maximum Duty Cycle
Typical Turn-On Delay Time
Minimum Storage Temperature
Maximum Storage Temperature
Typical Gate Charge @ 10V
Typical Drain Efficiency
Maximum Noise Figure
Maximum Gate Source Voltage
Maximum Drain Source Resistance
Channel Type
Configuration
Channel Mode
Number of Elements per Chip
Maximum Drain Source Voltage
Maximum Continuous Drain Current
Minimum Frequency
Maximum Frequency
Maximum Power Dissipation
Mode of Operation
Typical Power Gain
Output Power
Maximum IDSS
Typical Input Capacitance @ Vds
Minimum Operating Temperature
Maximum Operating Temperature

Model CAD

Akses model CAD 3D, simbol, dan footprint komponen. Visualisasikan struktur dan dimensinya, integrasikan desain, dan optimalkan kinerjanya dengan mudah.

Persilangan

Tertarik dengan Data Gratis Lainnya?

Temukan bentuk-fit-fungsi yang setara dari produsen lain atau bahkan upgrade dan downgrade yang sesuai, dan masih banyak lagi.

Beralih ke Premium

Tidak ada Kartu Kredit. Tidak ada Komitmen.