MPSH10-BP

Description:

NPN RF Transistor

Pays d'origine:

China

Date d'introduction:

Jun 26, 2006

Mis à jour:15-NOV-2024

Aperçu

Familiarisez-vous avec les informations générales fondamentales, les propriétés et les caractéristiques du composant, ainsi que sa conformité aux normes et réglementations de l'industrie.

Cycle de viePremium
UE RoHS Yes
Version RoHS2011/65/EU, 2015/863
Chemin de catégorie
Semiconductor > Diodes, Transistors and Thyristors > Bipolar Transistors > RF BJT

Fiche technique

Obtenez une compréhension approfondie du composant électronique en téléchargeant sa fiche technique. Ce document PDF comprend tous les détails nécessaires, tels qu'un aperçu du produit, les fonctionnalités, les spécifications, les notes, les schémas, les applications, et plus encore.

Aperçu de la fiche technique

(Latest Version)

Fabrication

Les informations de fabrication précisent les exigences techniques et les spécifications pour la production et l'assemblage du composant. Ces informations sont cruciales pour que les fabricants maintiennent la qualité et la fiabilité des composants, et s'assurent qu'ils sont compatibles avec d'autres appareils et composants.

Wave Temp. Source

Paramétrique

Les informations paramétriques affichent les caractéristiques essentielles et les mesures de performance du composant, ce qui aide les ingénieurs et les responsables de la chaîne d'approvisionnement à comparer et choisir le composant électronique le plus approprié pour leurs applications et besoins.

gamme de produits
Maximum Turn-Off Time
Maximum Rise Time
Maximum Emitter Cut-Off Current
Maximum DC Collector Current Range
Collector Current for VCE Saturation
Typical Transition Frequency
Minimum Transition Frequency
Process Technology
Maximum Collector-Emitter Voltage Range
Maximum Collector Cut-Off Current
Typical Collector Efficiency
Tradename
Supplier Temperature Grade
Minimum Storage Temperature
Maximum Storage Temperature
Type
Configuration
Number of Elements per Chip
Maximum Collector-Emitter Voltage
Maximum Collector Base Voltage
Maximum Emitter Base Voltage
Maximum DC Collector Current
Maximum Power Dissipation
Maximum Junction Ambient Thermal Resistance
Maximum Junction Case Thermal Resistance
Minimum DC Current Gain
Minimum DC Current Gain Range
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
Maximum Transition Frequency
Maximum Turn-On Time
Maximum Noise Figure
Typical Input Capacitance
Typical Output Capacitance
Output Power
Maximum Power 1dB Compression
Operational Bias Conditions
Typical Power Gain
Maximum 3rd Order Intercept Point
Minimum Operating Temperature
Maximum Operating Temperature
Material

Équivalences

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