K9F2G08U0D-SIB0
Samsung ElectronicsDescription: | 2Gb D-die NAND Flash |
Date d'introduction: | Jul 26, 2016 |
Mis à jour:+90 jours | |
Voir plus Flash par Samsung Electronics | |
Version en ligne:https://www.datasheets.com/fr/part-details/k9f2g08u0d-sib0-samsung-electronics-91541018
Aperçu
Familiarisez-vous avec les informations générales fondamentales, les propriétés et les caractéristiques du composant, ainsi que sa conformité aux normes et réglementations de l'industrie.
Cycle de viePremium
UE RoHS Yes
Version RoHS2011/65/EU, 2015/863
Chemin de catégorie
Semiconductor > Memory > Memory Chips > Flash
Semiconductor > Memory > Memory Chips > Flash
Paramétrique
Les informations paramétriques affichent les caractéristiques essentielles et les mesures de performance du composant, ce qui aide les ingénieurs et les responsables de la chaîne d'approvisionnement à comparer et choisir le composant électronique le plus approprié pour leurs applications et besoins.
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gamme de produits
Programmability
MMC Version
Simultaneous Read/Write Support
Erase Suspend/Resume Modes Support
ECC Support
OE Access Time
Page Read Current
Program Current
Page Size
Supplier Temperature Grade
Minimum Storage Temperature
Minimum Endurance
Maximum Storage Temperature
I/O Mode
Maximum Cycle Time
Process Technology
Tradename
Sector Size
Density in Bits
Command Compatible
Bank Size
Number of Banks
Support of Page Mode
Maximum Page Access Time
Support of Common Flash Interface
Density
Cell Type
Interface Type
Timing Type
Number of Words
Number of Bits per Word
Maximum Operating Frequency
Maximum Access Time
Maximum Erase Time
Maximum Programming Time
Typical Operating Supply Voltage
Minimum Operating Supply Voltage
Maximum Operating Supply Voltage
Architecture
Programming Voltage
Boot Block
Location of Boot Block
Maximum Operating Current
Block Organization
Address Width
Minimum Operating Temperature
Maximum Operating Temperature