K4T51163QQ-BCE6
Samsung ElectronicsDescription: | DRAM Chip DDR2 SDRAM 512Mbit 32Mx16 1.8V 84-Pin FBGA |
Date d'introduction: | Feb 25, 2014 |
Mis à jour:+90 jours | |
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Version en ligne:https://www.datasheets.com/fr/part-details/k4t51163qq-bce6-samsung-electronics-61096345
Aperçu
Familiarisez-vous avec les informations générales fondamentales, les propriétés et les caractéristiques du composant, ainsi que sa conformité aux normes et réglementations de l'industrie.
Cycle de viePremium
UE RoHS Yes
Version RoHS2011/65/EU, 2015/863
Chemin de catégorie
Semiconductor > Memory > Memory Chips > DRAM Chip
Semiconductor > Memory > Memory Chips > DRAM Chip
Fiche technique
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